A Hynix Semiconductor Inc. anunciou hoje que desenvolveu 2Gb (Gigabit)de Ram DDR4 e 2 GB de RAM DDR4 (Gigabyte)com o SODIMM ECC (Identificar erros e fazer pequena correção da linha dual do módulo de mémoria) e aplicará esta tecnologia com o processo 30nm.
Mémoria RAM DDR4 é um produto da próxima geração que consome menos energia eletrônica, enquanto que as transferências de dados são 2 vezes mais rápido que as atuais DDR3. O aparelho funciona na velocidade mais rápida da indústria com 2400Mbps (Megabits por segundo),e também é 80% mais rápido do que o produto 1333Mbps DDR3. O Módulo opera a uma voltagem baixa de 1,2 V e processos de até 19.2GB (gigabytes) de
dados por segundo com 64-bit I / O.
Hynix planeja começar a produção da DDR4 de alta performance no segundo semestre de 2012.
fonte: Hynix
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